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NXP Semiconductors
PESD5V0S1UJ; PESD12VS1UJ
Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
10 4
P PP
(W)
10 3
006aab414
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
(1)
(2)
10 2
0.4
10 1
10 1
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
(1) PESD5V0S1UJ
(2) PESD12VS1UJ
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
500
C d
(pF)
006aab415
10 3
I RM
(nA)
(1)
006aab416
400
10 2
300
10
200
(1)
1
(2)
100
(2)
0
0
4
8
V R (V)
12
10 ? 1
? 75
? 25
25
75
125 175
T amb ( ° C)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD5V0S1UJ
(2) PESD12VS1UJ
(1) PESD5V0S1UJ
(2) PESD12VS1UJ
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Reverse leakage current as a function of
voltage; typical values
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
ambient temperature; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 June 2009
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